——IX4341与IX4342双5安培低压侧器，专为高频运用精心打造。这两款新品进一步丰厚了Littelfuse的IX434x系列，经过新增的同相与反相逻辑输入版别，完成了对系列新产品的全面晋级与弥补。

  IX434x系列现已包括双路同相、双路反相以及混合同相与反相输入的多样化装备，为工程师们供给了史无前例的灵活性与广泛挑选。无论是寻求高效能驱动解决方案，仍是寻求定制化装备以习惯特定运用场景，IX434x系列都能满意最苛刻的需求。这一立异行动再次显示了Littelfuse在MOSFET栅极驱动技能领域的领导地位与继续立异力。

  的功率损耗剖析 /

  功能方面扮演着至关重要的人物，特别是在应对电气化体系日渐增加的需求时。跟着全球对电力在工业、交通和消费产品中依赖性的加深，SiC技能凭仗其

  的功耗核算 /

  可继续开展、彼此连通和更安全的国际供给动力。公司侥幸地宣告推出IX4341和IX4342双5安培低压侧

  的挑选规范 /

  （Gate Driver）是一种电路，其基本功能在于增强场效应晶体管（

  ：LFUS）是一家工业技能制作公司，致力于为可继续开展、彼此连通和更安全的国际供给动力。公司盛大宣告推出IX4352NE低侧SiC

  GaN FETs以其体积小、切换速度快、效率高及本钱低一级优势，为电力电子产业带来了革命性的改变。但是，GaN技能的加快速度进行开展有时超出了专门为GaN规划的

  GaN FETs /

  的演化（IGBT/SiC/GaN） /

  运放标准书中的“输入电压噪声”有什么用？筹办用它核算运放电路输出端发生的失调电压？

  嵌入式学习-飞凌嵌入式ElfBoard ELF 1板卡-运用AHT20进行环境监督测定之AHT20传感器介绍